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期刊信息
主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
出 版 地:河北省石家庄市
出版周期:月刊
国际标准刊号:ISSN:1003-353X
国内统一刊号:CN:13-1109/TN
期刊级别:北大核心(2017版),科技核心(2019版)
期刊收录:维普收录,万方收录,知网收录
电 话:0311-87091339
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半导体技术
《半导体技术》Semiconductor Technology(月刊)是国家新闻出版广电总局批准公开发行、中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的科技期刊。
《半导体技术》于1976年创刊,重点介绍半导体新材料的研发、半导体器件(CMOS器件、有机半导体器件、化合物半导体器件、半导体光电器件、薄膜晶体管、存储器等)和技术、集成电路设计与应用、先进半导体制造技术和封装技术、可靠性(功率器件可靠性、ESD技术等)、检测技术与设备等领域国内外的研究进展和最新研究成果。作为核心期刊,《半导体技术》力争报道本领域最新的产品、技术及制造信息。栏目分为:趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制造技术、半导体材料、先进封装技术、可靠性、半导体检测与设备、产业新闻。
《半导体技术》是中文核心期刊、中国科技核心期刊,不仅被中国期刊网、中国学术期刊(光盘版)、万方数据数字化期刊群入网期刊、中文科技期刊数据库等国内数据库收录,而且被美国《化学文摘》(CA)、美国《剑桥科学文摘》(CSA)、英国《科学文摘》(SA,INSPEC)、俄罗斯《文摘杂志》(AJ,VINITI)、美国《乌利希期刊指南》(Ulrich’s) 等国外数据库收录。
半导体技术杂志核心期刊论文发表须知:
《半导体技术》是由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的科技期刊。本刊是中文核心期刊、中国科技核心期刊,不仅被中国期刊网、中国学术期刊(光盘版)、万方数据数字化期刊群入网期刊、中文科技期刊数据库等国内数据库收录,而且被美国《化学文摘》(CA)、美国《剑桥科学文摘》(CSA)、英国《科学文摘》(SA,INSPEC)、俄罗斯《文摘杂志》(AJ,VINITI)、美国《乌利希期刊指南》(Ulrich’s) 等国外数据库收录。
1. 征稿范围
半导体新材料的研发、半导体器件(CMOS器件、有机半导体器件、化合物半导体器件、半导体光电器件、薄膜晶体管、存储器等)和技术、集成电路设计与应用、先进半导体制造技术和封装技术、可靠性(功率器件可靠性、ESD技术等)、检测技术与设备等领域国内外的研究进展和最新研究成果。主要栏目:趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制造技术、半导体材料、先进封装技术、可靠性、半导体检测与设备等。
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♦ 题目要求不超过20字。
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♦ 中英文摘要:摘要宜用第三人称写明论文的目的、方法、结果和结论,中文250字左右。
♦ 关键词:中英文5~8个。
♦ 中图书分类号:采用中国图书分类法(第五版进行分类),国际图书分类号采用EEACC和PACC分类。
♦ 基金项目:在首页页脚标注项目名称和批准号。
♦ 缩略词和物理量:正文部分英文缩略词第一次出现时须写出中英文全称;物理量符号须分清大小写、正斜体、上下角,第一次出现该符号时需给出其含义。
♦ 图、表和公式:按在论文中出现的先后顺序编号并排在正文相应位置,在图下面标注图题、图注。有分图时分图用(a), (b), (c)等标识并给出中文分图题,插图最好用矢量图格式。表格应简明,宜用三线表。图题和表题要求中英文对照。图和表里的文字用中文。图表以不小于50 mm×70 mm 为宜,照片须清晰,像素不低于600 dpi。图、表中出现的物理量名称和符号须与正文一致,不要出现正文中没有交待或与正文内容无关的文字或符号。公式在文章中以阿拉伯数字连续编号,需用Mathtype公式编辑器编辑。
♦ 参考文献:按在正文中出现的顺序编号,用方括号标于引文处右上角,并与文末参考文献序码对应一致。请勿引用尚未公开发表的资料,中文参考文献须译成相应的英文,应符合各类文献著录规则,著录项目齐全。
⇒ 期刊的格式:作者(列前三名,姓前名后,英文全部大写),等. 文章题目(英文首字母大写)[J]. 刊名(每个英文单词首字母大写),发表年份,卷(期):起止页码.
⇒ 书籍的格式:作者(列前三名,姓前名后,英文全部大写),等. 书名(英文首字母大写)[M]. 出版地:出版社,出版年份:参考起止页码.
⇒ 会议论文集格式:作者(列前三名,姓前名后,英文全部大写),等. 文章题目(英文首字母大写)[C] // 会议名称. 会议召开的城市,国别,年份:起止页码.
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